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摘 要:本发明公开了一种毛细管压力差强化浓缩的渗透芯片,上基片设置有上微通道,在上基片的底部设置有与上微通道相通的圆形向上凹道;下基片设置有下微通道,在下基片的顶部设置有与下微通道相通的圆形向下凹道;圆形渗透膜设置在上、下基片的圆形向下凹道之间,上、下微通道的截面为矩形,上微通道截面积大于下微通道截面积。本发明利用上、下微通道截面积差而形成的毛细管作用力差,使芯片中产生垂直于渗透膜的定向跨膜压差,提供了除汲取势以外的额外驱动力。发挥了能耗低、截留效果强、高水通量、膜污染小、结构稳定等优势,又提高了整体跨膜压力,减缓了浓差极化对渗透过程的削弱作用,缩短了浓缩时间,提高了浓缩倍率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110129949.1 | 专利名称: | 一种毛细管压力差强化浓缩的渗透芯片 |
申请日: | 2021-01-29 | 申请/专利权人 | 天津工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 天津市西青区宾水西道399号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01N1/40搜分类 集成电路搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |