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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201710225066.4 | 专利名称: | 金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制造方法 |
申请日: | 2017-04-07 | 申请/专利权人 | 天津工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 天津市西青区宾水西道399号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/24分类检索 LED 表 硅 港口专利转让搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明公开了一种金属局域表面等离激元耦合增强硅基LED及制造方法,包括:p衬底、位于p衬底上的n阱、位于n阱上表面的p+和n+;在所述p+上设有p电极,在所述n+上设有n电极;其特征在于:所述p+为楔形结构,所述楔形结构的楔角为45°士0.5°;所述LED的发光区域位于楔角和n+之间;在所述发光区域的上表面设置有同取向的含Au纳米颗粒的纳米纤维;所述纤维纤维的直径为120士20nm,所述金属纳米颗粒直径大小为10士2nm;在所述纳米纤维为设有SiO2介质层。该发明结合静电纺丝技术,利用金属局域等离激元耦合提高硅基LED器件的发光效率;使等离激元与发光层光波耦合共振,发光效率达到最大值。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/03/22 | 授权 | |
2017/08/11 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 33/24 专利申请号: 201710225066.4 申请日: 2017.04.07 |
2017/07/18 | 公开 |