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摘 要:本发明提出了三种低频低强度短时磁刺激模式对突触可塑性LTP调控效应的分析方法,实验结果表明,三种模式磁刺激均会对突触可塑性LTP产生一定程度的抑制,其中,连续正弦磁场的抑制效果最为显著,而另外两种的抑制效果相对较弱,且随着时间的增大,三种模式的抑制效果更为明显。本发明通过Agilent 83712信号源产生正弦信号,通过Master‑8可编程刺激器产生脉冲和节律信号,经功率放大器PB717X放大后,产生频率为15Hz,强度为2mT的低频低强度磁场信号,对离体海马脑片实现了10s,20s,40s,60s的短时刺激,并采用多电极阵列记录到LTP信号,对于探究磁刺激对学习和认知的影响机制提供了依据。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010998426.6 | 专利名称: | 三种低频低强度短时磁刺激模式对突触可塑性LTP调控效应的分析方法 |
申请日: | 2020-09-22 | 申请/专利权人 | 天津工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 天津市西青区宾水西道399号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C12N13/00搜分类 调控 P L LED芯片 低 三 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |