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摘 要:本发明公开了一种电注入三维GaN核壳结构Nano‑LED及制造方法,涉及半导体发光技术领域,其特征在于:蓝宝石衬底上刻蚀N型GaN纳米柱;在N型GaN纳米柱的底部和顶部制备SiO2层或SiNx钝化层;在N型GaN纳米柱侧壁外延生长N型GaN得到的六方对称N型GaN晶柱;在六方对称N型GaN晶柱侧壁上生长InxGa(1‑x)N/GaN多量子阱和P型AlxGa(1‑x)N渐变组分电子阻挡层;在P型AlxGa(1‑x)N渐变组分电子阻挡层外生长P型GaN;在P型GaN外部外延生长N型重掺杂GaN层;在N型重掺杂GaN层外淀积透明ITO电极。本发明能够提高器件辐射复合速率和内量子效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911308732.6 | 专利名称: | 电注入三维GaN核壳结构Nano-LED及制造方法 |
申请日: | 2019-12-18 | 申请/专利权人 | 天津工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 天津市西青区宾水西道399号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/06搜分类 LED 三维 壳结构搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |