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摘 要:本发明公开了一种原子磁光阱芯片及加工方法。本发明包括硅晶片和三维磁场线圈,硅晶片顶面中心向下开设的球缺形凹槽,形成反射腔。三维磁场线圈包括嵌在硅晶片顶面的上磁场线圈组和嵌在硅晶片底面的下磁场线圈组;上磁场线圈组包括四个均布在反射腔周围的椭圆形金属环,椭圆形金属环相对反射腔的远端具有开口,形成四个对称布置的开放式椭圆形金属线圈;下磁场线圈组包括两个与反射腔同心的金属圆环,其中内环的投影在四个椭圆形金属环的最小围合空间范围内,内、外金属圆环在同一角度具有开口,形成两个同心布置的开放式圆形金属线圈。本发明在结构上具有光学反射效率高,集成度好,加工简单及使用方便稳定性好的特点。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110943466.5 | 专利名称: | 一种原子磁光阱芯片及加工方法 |
申请日: | 2021-08-17 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下城区潮王路18号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G21K1/00搜分类 集成电路 加工方法 平整表面的加工方法搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |