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摘 要:本发明提供了一种具有高电导率和高迁移率的n型纳米金刚石薄膜的制备方法:对单晶硅衬底采用手工打磨和超声振荡结合的预处理方式;采用热丝化学气相沉积方法,在单晶硅衬底上制备具有新颖微结构的纳米金刚石薄膜,薄膜具有高电导率和高n型载流子迁移率,对于实现其在半导体器件和场致发射显示器等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810245815.4 | 专利名称: | 一种晶粒密堆积n型纳米金刚石薄膜及其制备方法 |
申请日: | 2018-03-23 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下城区潮王路18号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C16/02搜分类 塑料 纳米搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |