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摘 要:本发明公开了一种基于原位掺杂的聚噻吩衍生物导电薄膜及其制备方法和应用,属于有机光电材料技术领域。本发明所述制备方法采用气相渗透技术,有效实现了将MoCl5作为前驱体通过气相渗透循环,对聚噻吩衍生物初始薄膜进行原位掺杂改性,其中,通过调节不同的气相渗透循环次数实现对基体材料中渗透厚度的控制,保证制得的聚噻吩衍生物导电薄膜的结构可控性和稳定性,本发明公开的制备方法工艺简单、操作简便,且经本发明公开的制备方法制得的聚噻吩衍生物导电薄膜,具有电导率优异、渗透厚度可控、材料性能稳定的特点,其改性后的电导率比基体材料提高了4个数量级,因此能够应用于多种电子器件中,在本领域中具有很好的应用价值和工业应用前景。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010457538.0 | 专利名称: | 一种基于原位掺杂改性的聚噻吩衍生物导电薄膜及其制备方法和应用 |
申请日: | 2020-05-26 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C08L65/00搜分类 生物医药 塑料 改性搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2022/11/22 | 授权 | |
2020/09/25 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C08L 65/00 专利申请号: 202010457538.0 申请日: 2020.05.26 |
2020/09/01 | 公开 |