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摘 要:本发明涉及三维电子封装技术领域,公开了一种抑制TSV中铜热胀出的方法,其包括:超声波调控TSV沉积铜晶粒尺寸工艺参数优化设计:建立超声波作用下TSV孔道内声场和流场的分布模型,计算铜离子和添加剂分子的局部浓度;建立超声波作用下TSV镀铜填充动力学模型,计算阴极表面局部电流密度和铜离子局部浓度的时变分布,确定TSV填充参数;建立超声波作用下TSV镀铜填充电结晶动力学模型,计算TSV沉积铜晶粒尺寸与阴极局部电流密度的定量关系,设计获得最小晶粒尺寸的超声电沉积工艺参数;采用上述步骤设计的使TSV沉积铜晶粒尺寸最小化的超声工艺参数电镀填充TSV,进行实验验证。本发明可以在实现TSV快速、无缺陷镀铜填充的基础上抑制TSV中铜热胀出,节约生产成本。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110433795.5 | 专利名称: | 抑制TSV中铜热胀出的方法 |
申请日: | 2021-04-20 | 申请/专利权人 | 青岛科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省青岛市崂山区松岭路99号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25D7/12搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |