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摘 要:本发明公开了一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池,包括GaAs衬底,在GaAs衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有AlAs剥离层、GaInP子电池、石墨烯/AlSbP多层结构缓冲层、第一隧道结、InP子电池、第二隧道结和GaInAs子电池。本发明利用二维石墨烯材料特性降低界面应力,同时结合生长温度递增的AlSbP层逐步释放外延应力,可提升GaAs衬底上InP、GaInAs等外延材料的晶体质量,基于GaAs衬底可得到带隙组合更加合理的GaInP/InP/GaInAs倒装三结太阳电池,从而提升多结电池的转换效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111303520.6 | 专利名称: | 一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池 |
申请日: | 2021-11-05 | 申请/专利权人 | 电子科技大学中山学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省中山市石岐区学院路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0687搜分类 太阳能 光伏 航天卫星搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 25000.0元 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |