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摘 要:本发明公开了一种用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层及其连接工艺,其中用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层的原料及配比构成如下:高纯钛碳化硅60-80wt.%;高纯碳化硼20-40wt.%;高纯硅,添加质量为高纯钛碳化硅和高纯碳化硼总质量的1-35wt.%。本发明利用放电等离子烧结技术,在真空条件下制备了连接层厚度为50-200μm的SiC接头,室温下最高的剪切强度达到了168.3MPa;连接层复合材料硬度可达28.7GPa,超过了SiC母材的硬度,具有较高的实用价值。由于连接层材料是由与碳化硅性能相近的复相陶瓷组成,因此连接件的抗氧化和耐腐蚀等性能也将得到提高。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810485555.8 | 专利名称: | 一种用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层及其连接工艺 |
申请日: | 2018-05-21 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B37/00搜分类 陶瓷 碳化硅陶瓷搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |