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24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201810485555.8 | 专利名称： | 一种用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层及其连接工艺 |
| 申请日： | 2018-05-21 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | C04B37/00分类检索 陶瓷 碳化硅陶瓷专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明公开了一种用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层及其连接工艺，其中用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层的原料及配比构成如下：高纯钛碳化硅60-80wt.％；高纯碳化硼20-40wt.％；高纯硅，添加质量为高纯钛碳化硅和高纯碳化硼总质量的1-35wt.％。本发明利用放电等离子烧结技术，在真空条件下制备了连接层厚度为50-200μm的SiC接头，室温下最高的剪切强度达到了168.3MPa；连接层复合材料硬度可达28.7GPa，超过了SiC母材的硬度，具有较高的实用价值。由于连接层材料是由与碳化硅性能相近的复相陶瓷组成，因此连接件的抗氧化和耐腐蚀等性能也将得到提高。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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