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摘 要:本发明属于紫外LED技术领域,尤其涉及一种深紫外LED外延芯片正装结构。本发明提供了一种深紫外LED外延芯片正装结构,包括:n型电极、p型电极和外延芯片本体;所述n型电极和所述p型电极设置于所述外延芯片本体的同一侧;所述外延芯片本体包括依次设置的第一衬底、第一外延层和电极板;所述第一外延层包括依次叠加设置的缓冲层、AlN/AlGaN超晶格和n+型AlGaN层,所述缓冲层与所述第一衬底叠加设置;所述n型电极与所述第一衬底电连接,所述p型电极与所述电极板电连接;所述缓冲层为异质结构的BN层或AlN层。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811614645.9 | 专利名称: | 一种深紫外LED外延芯片正装结构 |
申请日: | 2018-12-27 | 申请/专利权人 | 广东工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省广州市越秀区东风东路729号大院 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/12搜分类 集成电路 L LED芯片搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/10/23 | 授权 | |
2019/04/23 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 33/12 专利申请号: 201811614645.9 申请日: 2018.12.27 |
2019/03/29 | 公开 |