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摘 要:本申请提供一种紫外LED外延结构,包括:衬底;依次生长在所述衬底上的未掺杂缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、超晶格结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层;其中,所述超晶格结构包括至少一层第一AlGaN层和至少一层第二AlGaN层,所述第一AlGaN层和所述第二交替叠加。由于在多量子阱与电子阻挡层之间增加设置超晶格结构,超晶格结构能够有效缓解有源区最后一个量子垒与电子阻挡层之间的应变,抑制电子泄漏,增大空穴注入率,从而提高紫外LED的光输出功率和内量子效率,使其呈现更佳的发光性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710600473.9 | 专利名称: | 一种紫外LED外延结构 |
申请日: | 2017-07-21 | 申请/专利权人 | 广东工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省广州市越秀区东风东路729号大院 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/06搜分类 LED搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/08/30 | 授权 | |
2017/11/17 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 33/06 专利申请号: 201710600473.9 申请日: 2017.07.21 |
2017/10/20 | 公开 |