发明专利已授权

一种铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列、制备方法及其应用

📄 申请号：CN202211179976.0 📄 发布日：2026/06/26

著录项目信息

申请日

2022-09-27

申请人

苏州三百亿科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G19_00

IPC 分类号

C01G19_00 , H01L31_032 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米结构纳米材料半导体材料太阳能电池材料纳米结构

应用场景

太阳能电池, 光伏发电, 光电探测器, 光催化

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摘要

本发明公开了一种铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列、制备方法及其应用，其中一维半导体纳米结构阵列是由规则排列的纳米线构成。本发明采用化学气相沉积和水热法相结合的方法合成一维半导体纳米结构阵列，制备过程中不需要使用催化剂和模板，制备方法简单，能够实现一维半导体纳米结构阵列的大面积、低成本制备。制得的纳米结构阵列具有较大的比表面积，对光的吸收较纳米薄膜有明显的增强；同时半导体纳米结构阵列组成元素含量丰富，无毒。本发明一维半导体纳米结构阵列在光伏领域应用时能够增大太阳能电池对光的吸收，降低太阳能电池成本，提高太阳能电池光电转换效率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240524

?? 专利权的转移：

20231027

✅ 授权

20221220

?? 实质审查的生效：

20221202

📄 公开

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