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摘 要:本发明公开了一种带温度补偿的带隙基准参考电路,属于微电子技术领域,本发明的温度补偿的带隙基准参考通过将分段电流INL以及与温度T1.5成正比的电流IP11加入到传统的一阶带隙基准电路中,即通过将高阶温度补偿电路中的PMOS管MP7的漏电流和PMOS管MP11的漏电流加入到电阻R5上来实现高阶温度补偿,得到基准电压,采用该技术,可得到较小温度系数的基准电压。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410109979.6 | 专利名称: | 一种带温度补偿的带隙基准参考电路 |
申请日: | 2014-03-24 | 申请/专利权人 | 重庆邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 重庆市南岸区崇文路2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G05F1/567搜分类 电子 电路搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2015/07/08 | 授权 | |
2014/07/16 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): G05F 1/567 专利申请号: 201410109979.6 申请日: 2014.03.24 |
2014/06/18 | 公开 |