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摘 要:本发明请求保护一种高速低功耗的比较器电路,包括输入管、偏置管(2)、动态锁存电路、重置管、反相器。本发明目的在于提高比较器的速度和降低功耗。创新在于使用NMOS管(M1,M2)作为输入将两个比较电压转化为电流并直接输入锁存电路以降低比较器延时,将电流输入级与动态锁存器输出级分离以降低功耗,采用互补反相器(M5,M6,M7,M8)作为动态锁存器,将电流差值进一步放大形成互补电流,M3,M4提供稳定的偏置电路,并将电流转化为电压,通过反相器输出,从而实现一种高速低功耗的比较器电路。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811353719.8 | 专利名称: | 一种高速低功耗的比较器电路 |
申请日: | 2018-11-14 | 申请/专利权人 | 重庆邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 重庆市南岸区南山街道崇文路2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H03K5/22搜分类 电子 电路 低功耗搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |