发明专利已授权

CNF-MXene/银纳米线多孔复合薄膜的制备方法

📄 申请号：CN202111539151.0 📄 发布日：2025/12/03

著录项目信息

申请日

2021-12-15

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C08J9_28

IPC 分类号

C08J9_28 , C08L1_02 , C08K9_02 , C08K3_14 , C08K7_00 , C08K3_08 , H05K9_00 ,

技术画像

所属领域

纳米复合材料纳米复合材料薄膜材料导电材料

应用场景

柔性电子, 电磁屏蔽, 可穿戴设备, 传感器, 储能器件

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摘要

本发明公开了CNF‑MXene/银纳米线多孔复合薄膜的制备方法，具体为：首先，对Ti3AlC2进行蚀刻分层得到MXene分散液；将AgNWs分散液与粘结剂、MXene分散液混合，搅拌，得到MXene/AgNWs混合分散液；将CNF超声分散在去离子水中，得到CNF分散液；采用真空抽滤的方法，将CNF分散液、MXene/AgNWs混合分散液过滤到混合纤维膜上，纵向冷冻，真空干燥，得到CNF‑MXene/银纳米线多孔复合薄膜。通过冷冻干燥，形成多孔结构的薄膜，从而制备出了轻质、低填充、高效电磁屏蔽性能的多孔薄膜；同时，该制备方法简便可行，具有较低的生产成本，易于批量化生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20251212

⏳ 开放许可声明：

20230530

✅ 授权

20220506

?? 实质审查的生效：

20220419

📄 公开

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