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摘 要:本发明公开了一种具有低输出电阻的CMOS参考电压缓冲器,具有低输出电阻的CMOS参考电压缓冲器,包括单极点高增益OTA、功率传输PMOS管Tp、第一反馈电阻R1和第二反馈电阻R2,所述单极点高增益OTA包括电压源VDD、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9和第十NMOS管N10。本发明所提供的参考电压缓冲器具有非常低的输出阻抗低频值,且额外电路开销小,有利于维持低功耗。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011258748.3 | 专利名称: | 一种具有低输出电阻的CMOS参考电压缓冲器 |
申请日: | 2020-11-12 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G05F1/56搜分类 电阻 C 低 港口 缓冲器搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |