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摘 要:本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法,偏振器包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层;介质层由超像素单元阵列组成;超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成;其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%,消光比20dB以上,最高可到70dB;其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上,在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽,结构简单,易于制作的特点,在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810691569.5 | 专利名称: | 全介质像素式全斯托克斯成像偏振器件的制备方法 |
申请日: | 2016-08-29 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G02B5/30搜分类 像素 器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |