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摘 要:本发明涉及一种原位无损剥离量子点的方法,包括以下步骤:将表面负载有量子点的衬底升温至量子点的临界脱附温度,其中,量子点为Ⅲ‑Ⅴ族量子点,衬底的材质为Ⅲ‑Ⅴ族化合物,所述量子点的键能低于衬底中化合物的键能;然后向量子点施加脉冲激光,使得量子点中的原子受激发后从所述衬底表面原位无损剥离。本发明的方法可有效避免目前主流剥离方法中存在的氧化,污染,材料破坏,耗时以及不经济等问题。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810556681.8 | 专利名称: | 原位无损剥离量子点的方法 |
申请日: | 2018-06-01 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01G28/00搜分类 无损搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |