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摘 要:本发明公开了一种硒化铅纳米棒、制备方法及在场效应晶体管中的应用。以氧化铅、反式‑2‑癸烯酸为原料制备铅前驱体,再经反应和后处理,得到一种硒化铅纳米棒,分子式为PbSe,表面配体为有机酸反式‑2‑癸烯酸,带隙为1.03电子伏特。将提供的硒化铅纳米棒应用于场效应晶体管,以无机配体四正丁基卤化铵交换硒化铅纳米棒表面的有机酸配体,其电学性能显示双极性,在真空下测得的电子迁移率是0.1 cm2/Vs;空穴迁移率为1.1×10‑4 cm2/Vs。在50~297 K变温中,电荷传输机制在200 K时由最邻近跃迁机制转变为可变区域内跃迁机制且电荷传输由高度无序状态主导,可广泛应用于太阳能电池和光电探测器等领域。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710972823.4 | 专利名称: | 一种硒化铅纳米棒、制备方法及在场效应晶体管中的应用 |
申请日: | 2017-10-18 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01B19/04搜分类 纳米材料 纳米棒 场效应晶体管搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |