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摘 要:本发明具体涉及一种薄膜晶体管输出特性模型修正方法,为了提供一种同一拟合常数适合于多个不同栅极电压Vgs条件下的输出特性而设计。本发明薄膜晶体管输出特性模型修正方法包括:确定适用于薄膜晶体管一组不同栅极电压Vgs条件下输出特性的同一拟合常数α;采用如下修正公式确定修正后的漏极电流,其中,Vdeff为有效漏极电压,Vdeff=VD‑Vdsat,VD为漏极电压,Vdsat为过饱和电压;Id为线性区的未加修正的漏极电流。本发明薄膜晶体管电流模型对器件特性的预测更加精确。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710485895.6 | 专利名称: | 薄膜晶体管输出特性模型修正方法 |
申请日: | 2017-06-23 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市相城区济学路8号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06F30/367搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 2020-05-15 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107391802B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/05/15 | 授权 | |
2020/03/03 | 著录事项变更 | 发明人由韩志远 王明湘 变更为王明湘 韩志远 |
2017/12/22 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): G06F 17/50 专利申请号: 201710485895.6 申请日: 2017.06.23 |
2017/11/24 | 公开 |