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摘 要:本发明公开了一种硅微米线阵列的制备工艺,所述工艺包括以下步骤:(1)在清洗干净的所述硅片表面旋涂抗氢氟酸刻蚀的光刻胶;(2)利用紫外曝光技术对步骤(1)所得硅片进行曝光处理;(3)对步骤(2)所得硅片进行显影处理;(4)以步骤(3)所得硅片为基底,利用物理沉积方法先后沉积Ti和Au薄膜;(5)将步骤(4)所得硅片将浸入丙酮溶液,轻微晃动1?3分钟;不完全去除光刻胶,只是将光刻胶体积减小,保证硅基底表面有部分未被光刻胶或金属完全覆盖;(6)将步骤(5)所得硅片浸入HF与H2O2混合水溶液中,在3?15℃的低温环境中密闭处理6?24小时;(7)将步骤(6)所得硅片进行去光刻胶与去金属处理。本发明可以得到大间距、大长径比的硅微米线阵列,解决了现有技术中的问题。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610183558.7 | 专利名称: | 一种硅微米线阵列的制备工艺 |
申请日: | 2016-03-29 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/306搜分类 工艺 硅 微 阵列 制备工艺 米线搜索 |
公开/公告日: | 2019-08-06 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN105789042B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/08/06 | 授权 | |
2016/08/17 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/306 专利申请号: 201610183558.7 申请日: 2016.03.29 |
2016/07/20 | 公开 |