一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法

摘     要：本发明提供一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，该方法的步骤如下：将HAT‑CN和F4‑TCNQ以质量比为1:(2‑6)的比例混合溶于丙酮中，待完全溶解后得到溶液A；将CuPc和MoO3分别溶于水中制成水溶液，在大气环境下分别搅拌，以体积比1:1的比例混合，得到溶液B；将待涂布的基板臭氧处理，然后用溶液A涂布在基板表面，并在60℃的温度下退火15min，此时基板表面形成一层油性薄膜；将溶液B涂布在油性薄膜表面，并在150℃的温度下退火15min，此时ITO基片表面即形成了用于半导体器件的双电荷注入层。本发明的制作工艺简单便捷，设备要求低，在大气条件中即可进行制备操作，成本低廉。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注