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摘 要:本发明公开了一种制作近红外波段三维光子晶体的方法,利用全息干涉形成一维光子晶体掩模,通过离子束刻蚀或反应离子束刻蚀把掩模转移到硅基底材料上的SiO2层上,在刻蚀过的沟槽里填入高折射率材料,用离子束刻蚀法抛光表面,接着再沉积上SiO2,涂布光刻胶、全息光刻、离子束刻蚀等形成第二层,重复以上步聚,层与层之间采用莫尔条纹法对准,最后使用酸洗法去除SiO2,获得所需的三维光子晶体。本发明充分利用了全息光刻的亚微米分辨率,可以制作大面积的三维光子晶体,之后可根据需要切割成小块,具有高效低成本的优势;同时,在干涉场中,通过改变两束相干光的波前,便于引入大面积、周期性的缺陷。
著 录 项:
专利/申请号: | CN200810156771.4 | 专利名称: | 一种制作近红外波段三维光子晶体的方法 |
申请日: | 2008-09-26 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G02B6/122搜分类 光子晶体 三维搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |