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摘 要:本发明公开了一种硅基纳米杂化材料的制备方法,以单晶硅纳米线、碱金属的碲氢化物、镉源化合物和含羧基的水溶性巯基化合物为原料,制备得到硅基纳米杂化材料。本发明采用微波辐射的方法,将所述水溶性巯基化合物中的C=O键与单晶硅纳米线表面的Si-H键结合,并且将所述晶核中的Cd2+与所述水溶性巯基化合物中的巯基通过S-Cd键结合,从而得到晶核修饰的硅纳米线,晶核生长后得到硅基纳米杂化材料。由于CdTe量子点具有强发光特性,因此本发明制备的硅基纳米杂化材料具有较高的荧光强度。实验结果表明,本发明制备的量子点修饰的硅纳米线的发光效率为10~35%,量子点直径为50纳米。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201110157596.2 | 专利名称: | 硅基纳米杂化材料的制备方法 |
申请日: | 2011-06-13 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C09K11/88搜分类 纳米材料 硅 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |