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摘 要:本发明涉及一种用于套筒天线具有台状有源区的pin二极管串的制备方法。该制备方法包括:(a)选取SOI衬底;(b)刻蚀SOI衬底形成台状有源区;(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区;(d)在所述台状有源区四周淀积多晶Si材料;(e)在所述多晶Si材料表面制作引线光刻PAD以形成所述pin二极管串。本发明实施例利用原位掺杂工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能具有台状有源区的pin二极管串。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201611184383.8 | 专利名称: | 用于套筒天线具有台状有源区的pin二极管串的制备方法 |
申请日: | 2016-12-20 | 申请/专利权人 | 深圳市鑫立达宏科技有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省深圳市龙华新区观澜街道竹村福庭工业区15栋6楼 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/66搜分类 通信 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 2021-05-18 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN213240562U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |