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摘 要:本发明涉及一种用于系统级封装的防静电装置,包括:Si衬底(101);器件区,设置于所述Si衬底(101)内,包括纵向结构的SCR管(102)和隔离区(103),所述隔离区(103)设置于所述SCR管(102)两侧且上下贯通所述Si衬底(101);第一TSV区(104)和第二TSV区(105),设置于所述Si衬底(101)内且位于所述器件区两侧且上下贯通所述Si衬底(101);互连线,设置于所述Si衬底(101)上用于串行连接所述第一TSV区(104)的第一端面、所述SCR管(102)和所述第二TSV区(105)的第一端面;金属凸点(106);设置于所述第一TSV区(104)的第二端面和所述第二TSV区(105)的第一端面上。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工ESD防护器件SCR管,增强了层叠封装芯片的抗静电能力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711352400.9 | 专利名称: | 用于系统级封装的防静电装置 |
申请日: | 2017-12-15 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L23/538搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |