发明专利已授权

以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法

📄 申请号：CN201210231393.8 📄 发布日：2025/09/15

著录项目信息

申请日

2012-07-05

公开号

CN102730687A

公开日

2012-10-17

申请人

浙江理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B31_36

IPC 分类号

C01B31_36 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

可膨胀石墨碳化硅纳米线纳米材料制备无机非金属材料可膨胀石墨

应用场景

复合材料增强, 场发射器件, 高温电子器件, 传感器, 催化剂载体

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摘要

本发明公开了一种以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法。采用可膨胀石墨为碳源，硅粉和二氧化硅粉为硅源；或采用正硅酸乙酯为硅源，将正硅酸乙酯溶解于无水乙醇中，加入草酸以加速正硅酸乙酯水解再干爆燥后；将碳源和硅源混合并研磨均匀置于石墨坩埚中并放入高温气氛箱式炉内，抽真空并充入保护气体；升温到1300～1800℃，保温烧结2～8h，整个制备过程中炉内压强低于1MPa；随炉自然冷却至常温，开炉即得SiC纳米线。本发明原料廉价、工艺简单、无污染环境的有害气体、不需任何催化剂，拥有大规模高产率制备的特点，适合SiC纳米线的工业化生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20140416

✅ 授权

20121212

?? 实质审查的生效：

20121017

📄 公开

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议价

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