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| 专利/申请号： | CN201210231393.8 | 专利名称： | 以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法 |
| 申请日： | 2012-07-05 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C01B31/36 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 7 | 所属领域： | 膨胀专利转让搜索 |
应用场景：高性能陶瓷基复合材料增强相;电子器件热管理材料;催化载体材料;锂离子电池负极材料改性
摘 要：本发明公开了一种以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法。采用可膨胀石墨为碳源，硅粉和二氧化硅粉为硅源；或采用正硅酸乙酯为硅源，将正硅酸乙酯溶解于无水乙醇中，加入草酸以加速正硅酸乙酯水解再干爆燥后；将碳源和硅源混合并研磨均匀置于石墨坩埚中并放入高温气氛箱式炉内，抽真空并充入保护气体；升温到1300～1800℃，保温烧结2～8h，整个制备过程中炉内压强低于1MPa；随炉自然冷却至常温，开炉即得SiC纳米线。本发明原料廉价、工艺简单、无污染环境的有害气体、不需任何催化剂，拥有大规模高产率制备的特点，适合SiC纳米线的工业化生产。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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