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摘 要:基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法,属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层,n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广,制得的光阳极光电转化效率高。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810601667.5 | 专利名称: | 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法 |
申请日: | 2018-06-12 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01G9/20搜分类 SE C CD 高效 CdTe CdSe搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |