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摘 要:本发明一种Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜,光吸收良好,电阻率低,导电性能优异,其制备方法效率高,制得薄膜质量好。所述制备方法,包括如下步骤,步骤1,制备前驱体溶液;分别制备Se2-离子水溶液和加入氧化石墨烯水溶液的Sn2+离子水溶液;步骤2,薄膜沉积;在室温下,将清洗后的基片放置在沉积容器中,将等体积的Sn2+离子水溶液和Se2-离子水溶液加入到沉积容器中,20min后取出基片,用去离子水淋洗完成一次薄膜沉积;反复沉积5–10次得到沉积薄膜;步骤3,薄膜晶化;沉积薄膜在100℃下干燥1h,或用25–40W紫外灯照射2–3h后得到晶化的Bi掺杂SnSe/rGO复合物薄膜。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610859235.5 | 专利名称: | Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜及其制备方法 |
申请日: | 2016-09-28 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C03C17/22搜分类 石墨烯 塑料 SE Sn搜索 |
公开/公告日: | 2017-02-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106430998A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/03/05 | 授权 | |
2017/03/22 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C03C 17/22 专利申请号: 201610859235.5 申请日: 2016.09.28 |
2017/02/22 | 公开 |