发明专利 已授权

一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法

📄 申请号:CN201610201240.7 📄 发布日:2026/05/22

著录项目信息

申请日
2016-03-31
公开号
CN105859152B
公开日
2018-08-14
申请人
北京知产汇科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

自旋电子学器件, 磁电耦合器件, 磁性传感器, 信息存储器件, 微电子器件

摘要

本发明提供了一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法,该薄膜包括复合在一起的CoFe2O4和Bi0.96Sr0.04Fe1‑x‑yMnxCoyO3,x=0~0.04,y=0~0.02,且x、y不同时为0。制备时先配制CoFe2O4前驱液和Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜前驱液,然后用旋涂法和逐层退火的工艺在FTO基板上制备磁性CoFe2O4薄膜,再在CoFe2O4上制备Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜,形成高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜。本发明通过离子掺杂和与磁性CoFe2O4薄膜进行复合,大幅度提高了薄膜的介电、铁电和铁磁性能,还有效的降低了薄膜的漏电流密度。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

……

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20240816
?? 专利权的转移 :
20180814
✅ 授权
20160914
?? 实质审查的生效 :
20160817
📄 公开

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