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摘 要:本发明提供一种沿(040)晶面取向生长的BiVO4薄膜的制备方法,将五水硝酸铋和钒酸氨溶于水中,以稀硝酸调节pH值,以柠檬酸为络合剂,制成前驱液,将基板在紫外光照射下进行功能化处理,使基板表面形成羟基层,再将功能化的基板悬浮于前驱液表面,羟基与‑[C6H2O7BiVO3]n‑进行缩聚反应在基板表面异相成核,液相自组装诱导生长制备出非晶态‑O‑[C6HO6BiVO3]n‑前驱薄膜,再经干燥、退火,制得晶化的BiVO4薄膜。本发明工艺简单,实验条件要求较低,工艺过程易控制。该方法是对液相自组装技术的成功应用,将本发明的方法应用于BiVO4薄膜的制备,在光催化领域具有广阔的应用前景。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510149581.X | 专利名称: | 一种沿(040)晶面取向生长的 BiVO4薄膜的制备方法 |
申请日: | 2015-03-31 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C03C17/22搜分类 光伏 能源 太阳能 新材料 钙钛矿铁电 铁电存储器 薄膜电容 薄膜红外传感器 光电器件 光催化搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
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交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |