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摘 要:以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜,包括以下组分:Bi(NO3)2·5H2O、Co(NO3)2·6H2O、钛酸丁酯、乙二醇甲醚、乙酰丙酮;制备方法的步骤为:以Bi4Ti2.95Co0.05O12溶胶为前驱体,在以c轴取向LaNiO3为缓冲层的Si基底上制备Bi4Ti2.95Co0.05O12凝胶薄膜,随后经干燥、热处理,制备具有c轴取向性的Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜;具有优异的导电性、可取代铂和金等贵金属作为Bi4Ti2.95Co0.05O12薄膜电性能测试的底电极的特点。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910460023.3 | 专利名称: | 以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜及其制备方法 |
申请日: | 2019-05-30 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01G51/00搜分类 薄膜材料 电极薄膜 电子电力薄膜材料 半导体集成电路薄膜 导电薄膜 电路薄膜搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 16900.0元 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |