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| 专利/申请号： | CN201910460023.3 | 专利名称： | 以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜及其制备方法 |
| 申请日： | 2019-05-30 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 陕西省西安市金花南路5号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C01G51/00 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2022-04-12 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN110078131B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 14 | 所属领域： | 塑料专利转让搜索 |
摘 要：以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜，包括以下组分：Bi(NO3)2·5H2O、Co(NO3)2·6H2O、钛酸丁酯、乙二醇甲醚、乙酰丙酮；制备方法的步骤为：以Bi4Ti2.95Co0.05O12溶胶为前驱体，在以c轴取向LaNiO3为缓冲层的Si基底上制备Bi4Ti2.95Co0.05O12凝胶薄膜，随后经干燥、热处理，制备具有c轴取向性的Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜；具有优异的导电性、可取代铂和金等贵金属作为Bi4Ti2.95Co0.05O12薄膜电性能测试的底电极的特点。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2022/04/12 | 授权 | |
| 2019/08/27 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C01G 51/00 专利申请号: 201910460023.3 申请日: 2019.05.30 |
| 2019/08/02 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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