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24小时咨询热线摘 要：本发明公开了一种NiO/SiC异质发射结结构。本发明还公开了一种含NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管，包括衬底，在衬底上表面制作有n‑SiC缓冲层，在n‑SiC缓冲层上表面制作有p‑SiC缓冲层，在p‑SiC缓冲层上表面制作有p‑SiC长基区，在p‑SiC长基区上表面制作有n‑SiC短基区，在n‑SiC短基区上表面制作有p‑NiO发射区，还包括绝缘介质薄膜，在p‑NiO发射区的各个凸台上端面覆盖有阳极；在衬底下端面覆盖有阴极。本发明的结构，拥有更高的空穴注入能力，开通性能得到显著改善。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN201810507545.X | 专利名称： | 一种具有NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管 |
| 申请日： | 2018-05-24 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 陕西省西安市金花南路5号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L29/74搜分类 C IC搜索 |
| 公开/公告日： | 2018-10-30 | 转让价格： | 面议 |
| 公开/公告号： | CN108717945A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2022/01/07 | 授权 | |
| 2018/11/23 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/74 专利申请号: 201810507545.X 申请日: 2018.05.24 |
| 2018/10/30 | 公开 |
