发明专利已授权

一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板

📄 申请号：CN201710442818.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-06-13

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01S5_042

IPC 分类号

H01S5_042 , H01S5_024 ,

技术画像

所属领域

垂直腔面发射激光器垂直腔面发射激光器散热基板电子封装技术

应用场景

光通信模块, 数据中心, 3D传感, 激光雷达, 大功率激光器

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摘要

本发明公开了一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板，包括用来安装VCSEL芯片本体的电极A和电极B，VCSEL芯片本体安装在电极A上，VCSEL芯片本体上的芯片引线节点通过电流引线与电极B的表面连接。相比现有的技术，引线条数增加，电流分布的均匀较好，可通入的电流增大，并使得芯片的散热均匀，可以解决现有技术中的引线不均匀而导致的电流不均匀的问题并使得芯片的散热能力增强。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

一种基于正交试验法的潜流交换影响因素敏感性分析方法

同领域国内专利 · IPC: (H01S5_042)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：24 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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