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摘 要:本发明公开了一种波状基区和透明短路阳极的双芯GCT,GCT-A与GCT-B部分在n-区向上设置相同;GCT-B部分n-区向下设置有n场阻止层,n场阻止层的下方并排设置有p+透明阳极区Ⅰ、n+短路区和p+透明阳极区Ⅱ,p+透明阳极区Ⅰ和p+透明阳极区Ⅱ的厚度小于中间的n+短路区,p+透明阳极区Ⅰ与GCT-A的p+透明阳极区邻接,p+透明阳极区Ⅰ、n+短路区和p+透明阳极区Ⅱ的下方均与GCT-A部分的p+透明阳极区的下方设置有共同的阳极铝电极A。本发明还公开了上述D-GCT的制备方法。本发明波状基区和透明短路阳极的双芯GCT结构,提高了GCT的电流容量,降低总损耗,省去对少子寿命的控制。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410605143.5 | 专利名称: | 一种波状基区和透明短路阳极的双芯GCT及制备方法 |
申请日: | 2014-10-31 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/06搜分类 C 透明 CT 短路搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |