一种基于FinFET器件的五管存储单元

摘     要：本发明公开了一种基于FinFET器件的五管存储单元，包括位线、反相位线、读字线、写字线、第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管和第五FinFET管，第一FinFET管和第二FinFET管分别为低阈值的P型FinFET管，第三FinFET管为高阈值的N型FinFET管，第四FinFET管和第五FinFET管分别为低阈值的N型FinFET管；优点是在不影响电路功能的情况下，延时、功耗和功耗延时积均较小，读操作稳定性和写操作稳定性可以同时提高，电路的整体性能较高的基于FinFET器件的五管存储单元。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注