一种基于FinFET的单端读写存储单元

摘     要：本发明公开了一种基于FinFET的单端读写存储单元，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、位线、字线，写字线、写上字线、写下字线和虚地线，第一FinFET管和第二FinFET管均为P型FinFET管，第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管均为N型FinFET管；优点是在保证读操作稳定性的基础上，可以得到较高的写噪声容限，存储值结果稳定，电路功能稳定，且漏功耗较小，同时延时也较小，利于快速稳定存取数据。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2020/04/17	授权
  2018/09/21	实质审查的生效	IPC(主分类): G11C 11/419 专利申请号: 201810104334.1 申请日: 2018.02.02
  2018/08/28	公开