非易失性存储器

摘     要：本发明涉及一种非易失性存储器。该存储器为顶栅型晶体管结构或底栅型晶体管结构；存储器包括栅极、绝缘层、电荷存储层、源/漏极及半导体层；其中，电荷存储层中离散分布有半导体核壳纳米晶结构，该半导体核壳纳米晶结构与该半导体层直接接触，电荷存储层设置为依据施加至所述栅极的电压极性不同实现电子和/或空穴的存储。本申请由于电荷存储层中离散分布有半导体核壳纳米晶结构，同时该半导体核壳纳米晶结构与半导体层直接接触，使得本申请的电荷存储层在俘获电荷时，电荷不需再经过一层绝缘层，即可快速且无损的到达电荷存储层。经验证，本申请的存储器件具有更快的擦写速度，信息擦写所用时间为≤50ns；具有更好的耐擦写性，耐擦写次数≥105次。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2021/08/06	授权
  2020/06/30	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 29/788 专利申请号: 202010078655.6 申请日: 2020.02.03
  2020/06/05	公开