发明专利已授权

有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法

📄 申请号：CN201810989493.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-08-28

申请人

淮阴工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C08L83_08

IPC 分类号

技术画像

所属领域

低介电材料低介电材料有机硅材料多孔薄膜

应用场景

集成电路, 半导体器件, 微电子封装, 高频通信

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摘要

本发明涉及化工领域，公开了一种有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法，该薄膜中POSS类有机硅烷前躯体的结构式如下：，其中，n为12、16、18、20或22，X为CH3或CH2CH3；制备方法如下：室温下，将一定量的POSS类前驱体溶解于有机溶剂中，加入适量光产酸剂，搅拌均匀后，在基底上喷涂成膜；待有机溶剂完全挥发后，置于发光二极管灯下照射预设时间，然后置于N、N二甲基甲酰胺中与氟代烷基醇进行酯交换反应24‑72h，洗涤干燥后得到有机硅介微孔超低介电薄膜。与现有超低介电薄膜相比，所得薄膜介电常数更低（1.89），在潮湿环境中介电稳定性更优，而且操作简单、聚合速度快。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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