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本发明公开一种具有低介电常数的填料、环氧基复合材料及其制备方法，属于复合材料技术领域，包括低介电常数填料和低介电常数的环氧基复合材料的制备。首先将沸石粉高温焙烧后分散于去离子水中，在沸石分散液中加入无水乙醇、模板剂以及氢氧化钠溶液，向混合溶液缓慢滴加计算量的正硅酸乙酯，反应结束后，所得混合物过滤、洗涤，移至烘箱中烘干；上述产物高温焙烧，即低介电常数填料；将上述低介电常数填料经高速搅拌分散于环氧树脂中，加入固化剂与促进剂，得到的环氧复合物抽真空处理；将上述环氧复合物浇注到模具中，加热固化即制得具有低介电常数的环氧基复合材料。本发明的有益效果为：有效降低了复合材料的介电常数，提高了复合材料的强度。

本发明涉及化工领域，公开了一种有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法，该薄膜中POSS类有机硅烷前躯体的结构式如下：，其中，n为12、16、18、20或22，X为CH3或CH2CH3；制备方法如下：室温下，将一定量的POSS类前驱体溶解于有机溶剂中，加入适量光产酸剂，搅拌均匀后，在基底上喷涂成膜；待有机溶剂完全挥发后，置于发光二极管灯下照射预设时间，然后置于N、N二甲基甲酰胺中与氟代烷基醇进行酯交换反应24‑72h，洗涤干燥后得到有机硅介微孔超低介电薄膜。与现有超低介电薄膜相比，所得薄膜介电常数更低（1.89），在潮湿环境中介电稳定性更优，而且操作简单、聚合速度快。