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本发明涉及化工领域，公开了一种有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法，该薄膜中POSS类有机硅烷前躯体的结构式如下：，其中，n为12、16、18、20或22，X为CH3或CH2CH3；制备方法如下：室温下，将一定量的POSS类前驱体溶解于有机溶剂中，加入适量光产酸剂，搅拌均匀后，在基底上喷涂成膜；待有机溶剂完全挥发后，置于发光二极管灯下照射预设时间，然后置于N、N二甲基甲酰胺中与氟代烷基醇进行酯交换反应24‑72h，洗涤干燥后得到有机硅介微孔超低介电薄膜。与现有超低介电薄膜相比，所得薄膜介电常数更低（1.89），在潮湿环境中介电稳定性更优，而且操作简单、聚合速度快。