发明专利 已授权

一种提高BiVO4光阳极光电化学性能的方法

📄 申请号:CN201910612485.2 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2019-07-09
公开号
CN110444402B
公开日
2020-09-25
申请人
淮阴工学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

太阳能光解水制氢, 光电化学水分解, 人工光合成, 光电化学传感器

摘要

本发明公开了一种等离子刻蚀提高BiVO4光阳极光电化学性能的方法,按照以下步骤:清洗基材后干燥——基材置于沉积室,然后在基材表面采用直流磁控溅射法沉积钒酸铋薄膜,沉积5~60min后得光催化薄膜——光催化薄膜在300‑500oC热处理2h,升温速度为1‑20oC/min——光催化薄膜送入刻蚀室,采用直流等离子法刻蚀光催化薄膜,刻蚀5‑30min后即得优化的钒酸铋薄膜。该方法不需要额外引入材料,工艺简单,功耗低且能够实现连续大尺寸制备,取材方便价格相比贵金属低,整个操作过程稳定性和可重复性好。

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这项专利是否已经下证?

是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN110444402B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20200925
✅ 授权
20191206
?? 实质审查的生效 :
20191112
📄 公开

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¥26000.0 元
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:39 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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