发明专利 已授权

一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法

📄 申请号:CN202010384843.1 📄 发布日:2026/09/22

著录项目信息

申请日
2020-05-09
公开号
CN111584241B
公开日
2021-08-20
申请人
武汉科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

太阳能光解水制氢, 光电催化, 光阳极, 清洁能源, 环境净化

摘要

一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法,依次包括WO3纳米片阵列薄膜的制备和WO3/Au光阳极的制备,其特征在于:所述WO3/Au光阳极的制备是将WO3纳米片阵列薄膜置于SnCl2的盐酸溶液浸泡,然后用无水乙醇冲洗吹干,再置于HAuCl4水溶液中浸泡一段时间,然后取出去离子水冲洗吹干,最后置于HNO3水溶液中浸泡一段时间,即制得WO3/Au光阳极。本发明方法制备WO3/Au光阳极,超细Au纳米颗粒在WO3表面均匀沉积、分散性优异,沉积的Au颗粒尺寸均匀,约为10nm,在Au与WO3界面形成肖特基结促进了电荷分离,WO3纳米片的单晶结构又提供了良好电子传输的通道,从而有效的提高了其光电催化性能。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图2
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