发明专利已授权

一种通过极化方向调控霍尔效应的结构

📄 申请号：CN201510689015.8 📄 发布日：2025/09/15

著录项目信息

申请日

2015-10-22

申请人

重庆科技学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L43_06

IPC 分类号

H01L43_06

技术画像

所属领域

霍尔效应器件霍尔效应器件磁电耦合结构自旋电子器件

应用场景

磁场传感器, 电流传感器, 磁存储, 自旋逻辑器件, 智能传感

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摘要

本发明公开了一种通过极化方向调控霍尔效应的结构，包括基片，基片上沉积下电极层，下电极层上沉积BFO薄膜层，BFO薄膜层上沉积有两个并排方孔的绝缘层；绝缘层上的每个方孔内沉积呈十字架形的铂电极，铂电极的端部在绝缘层上向外延伸并纵向连接为一体。在铂电极的六个端部焊接银电极。由于BFO不但具有磁性，同时还具有铁电性，其铁电极化方向可以通过外场进行调控。而BFO中磁性来源于铁离子，在极化方向转变的过程中，铁离子的位置可能会发生移动，从而影响到薄膜铂的磁性，进一步影响到铂/BFO的反常霍尔效应。本发明通过改变极化方向来调控反常的霍尔效应，对于研究和分析稀磁半导体中的磁性机制和在自旋电子学方面具有潜在应用的材料具有重要作用。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210101

?? 专利权的转移：

20171110

✅ 授权

20160330

?? 实质审查的生效：

20160302

📄 公开

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