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摘 要:本发明公开了一种制备高纯度多晶硅的方法,包括:使用中频炉为热源,在真空炉内将坩埚在10分钟内加热至200℃,然后再次使坩埚温度在10分钟内升至500℃;将纯金属硅和造渣剂混匀成料放入坩埚中,调节中频炉频率,使坩埚和料在30分钟内的温度升至1000℃;调节中频炉频率继续升温,在30分钟内升至1600℃,然后注入氩气;继续升温至2000℃,保持10分钟,并进行第一次捞渣;之后继续升温至2300℃,保持5分钟,并进行第二次捞渣;继续升温至3000℃,保持10到15分钟,料在高温熔融态下充分匀质化,然后开始逐级降温至2000℃;将降温至2000℃的料倒出3/4,通过水冷的方法进行定向凝固。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510308802.3 | 专利名称: | 一种制备高纯度多晶硅的方法 |
申请日: | 2015-06-08 | 申请/专利权人 | 朱超 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 关键词: | 多晶硅 相似专利 |
公开/公告日: | 2015-11-18 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN105063749A | 交易状态: | 等待洽谈 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(最新年检需盖公章)与组织机构代码副本复印件(需盖公章)一个专利各一份 | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利协议(需盖公章)一式两份 | 专利协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(最新年检需盖公章)组织机构代码副本复印件(需盖公章)一个专利各一份 | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利协议(需盖公章)一式两份 | 专利协议(需签字)一式两份 | |
专利受理通知书复印件或专利授权通知书复印件 | 专利受理通知书复印件或专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权未下证) | 专利证原件(若授权未下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |