咨询电话:13280638997
传真:0533-3110363
邮箱:kefu@shizifang.com
摘 要:本发明提供一种晶闸管包括第一导电类型的衬底,形成在衬底上的第二导电类型的埋层,形成在埋层的上表面的第二导电类型的外延层,形成在外延层的上表面的第一导电类型的第一注入区,位于第一注入区内的第二导电类型的第二注入区,自衬底的下表面间隔延伸至衬底内的第一导电类型的多个第三注入区,位于第一注入区与所述第二注入区之间的交界处的氧化层,自第一注入区的上表面延伸至第一注入区开设位于氧化层的外侧的沟槽,沟槽内填充有第一导电类型的多晶硅层,位于第一注入区及所述多晶硅层的上表面的门极金属层。本发明还提供一种晶闸管的制备方法,降低了晶闸管的正向压降和导通损耗,提高了晶闸管的工作效率和可靠性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811276694.6 | 专利名称: | 晶闸管及其制备方法 |
申请日: | 2018-10-30 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 授权未缴费 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/74搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/04/02 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/74 专利申请号: 201811276694.6 申请日: 2018.10.30 |
2019/03/08 | 公开 |