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摘 要:本发明公开了一种Cu2O纳米阵列的制备方法。将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH4F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mmol/L~0.295 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)溶液混合均匀,配制成弱酸性电解液;以Cu片作阳极,Pt片作阴极,在15 V~35 V的阳极氧化电压下氧化2~18分钟,即在Cu片上获得Cu2O纳米阵列。其光电压达到0.0801~0.2693 V。本发明制备工艺简单、周期短,通过改变工艺条件能有效地控制样品Cu2O纳米阵列的厚度及其光电性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710064972.0 | 专利名称: | 一种Cu2O纳米阵列的制备方法(无需二次) |
申请日: | 2017-02-05 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25D11/34搜分类 CuO纳米阵列 CuO薄膜 氧化铜薄膜 氧化铜纳米材料 CuO纳米材料 光电半导体薄片 阳极氧化法 无机氧化物半导体材料 p型半导体材料 空穴型半导体 太阳能电池材料 光伏电池材料 光伏材料 光电池材料 太阳能光伏新能源 光伏发电 可再生能源 清洁能源 绿色能源 微电子搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2018/12/21 | 授权 | |
2017/07/07 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C25D 11/34 专利申请号: 201710064972.0 申请日: 2017.02.05 |
2017/06/13 | 公开 |