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  • 专利名称：一种Cu2O纳米阵列的制备方法（无需二次）      申请号：2017100649720     转让价格：面议  收藏
    法律状态：已下证   类型：发明   关键词：CuO纳米阵列 CuO薄膜 氧化铜薄膜 氧化铜纳米材料 CuO纳米材料 光电半导体薄片 阳极氧化法 无机氧化物半导体材料 p型半导体材料 空穴型半导体 太阳能电池材料 光伏电池材料 光伏材料 光电池材料 太阳能光伏新能源 光伏发电 可再生能源 清洁能源 绿色能源 微电子   相似专利 发布日：2025/02/24  
    摘要： 本发明公开了一种Cu2O纳米阵列的制备方法。将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH4F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mmol/L~0.295 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)溶液混合均匀，配制成弱酸性电解液;以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在15 V~35 V的阳极氧化电压下氧化2~18分钟，即在Cu片上获得Cu2O纳米阵列。其光电压达到0.0801～0.2693 V。本发明制备工艺简单、周期短，通过改变工艺条件能有效地控制样品Cu2O纳米阵列的厚度及其光电性能。
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