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摘 要:本发明公开了一种多孔单层1T MoS 2纳米片的制备方法,步骤如下(:1)采用水热法制备2H晶型的MoS2纳米片;(2)采用超声辅助锂离子插层法对多层2H晶型的MoS2纳米片进行剥离,得到多孔单层1T MoS2纳米片。本发明的1T MoS 2纳米片可直接用于电催化制氢,相对于其它结构MoS2,其电催化制氢性能得到快速提高,多孔的结构为该催化提供了更多的边缘,因此可以暴露更多的活性位点,这将有益于电催化制氢;单层的结构使得该催化剂拥有更大的比表面积,可以提供更多的反应活性位点。相对于多层的结构,单层结构降低了层与层之间的电子传输阻力,有利于电子的传输和转移,进而加快电催化制氢速率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610650085.7 | 专利名称: | 一种多孔单层1T MoS2纳米片的制备方法及其应用 |
申请日: | 2016-08-09 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B01J27/051搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/01/15 | 授权 | |
2017/02/08 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): B01J 27/051 专利申请号: 201610650085.7 申请日: 2016.08.09 |
2017/01/11 | 公开 |