发明专利 已授权

一种多孔单层1T MoS2纳米片的制备方法及其应用

📄 申请号:CN201610650085.7 📄 发布日:2026/02/22

著录项目信息

申请日
2016-08-09
公开号
CN106311282B
公开日
2019-01-15
申请人
河南工程学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

催化, 储能, 传感器, 电子器件

摘要

本发明公开了一种多孔单层1T MoS 2纳米片的制备方法,步骤如下(:1)采用水热法制备2H晶型的MoS2纳米片;(2)采用超声辅助锂离子插层法对多层2H晶型的MoS2纳米片进行剥离,得到多孔单层1T MoS2纳米片。本发明的1T MoS 2纳米片可直接用于电催化制氢,相对于其它结构MoS2,其电催化制氢性能得到快速提高,多孔的结构为该催化提供了更多的边缘,因此可以暴露更多的活性位点,这将有益于电催化制氢;单层的结构使得该催化剂拥有更大的比表面积,可以提供更多的反应活性位点。相对于多层的结构,单层结构降低了层与层之间的电子传输阻力,有利于电子的传输和转移,进而加快电催化制氢速率。

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这项专利是否已经下证?

是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN106311282B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20190115
✅ 授权
20170208
?? 实质审查的生效 :
20170111
📄 公开
议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:85 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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