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摘 要:本发明了提出一种在通电条件下对硅衬底进行化学腐蚀制备减反射层的方法。本发明的方法可以方便地在低电阻率的p型硅衬底上制备晶硅减反射层,制备成本低。利用本发明方法所获的减反射层尺寸结构较大,减反射效果明显,表面复合较小,与现有工业化生产工艺兼容性较好,制成太阳电池以后,其电池片的转换效率可提高0.2%左右。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610460217.X | 专利名称: | 一种制备晶硅纳米结构减反射层的方法 |
申请日: | 2016-06-21 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/18搜分类 硅 港口 纳米搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |